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LN2312LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

LN2312LT1G 型号参数

LN2312LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子脱毛器、打印机、 MRI扫描仪、直流电源、调制解调器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子计算器、内存条、触摸屏、音响系统、电饭煲、直流电源、移动硬盘、气体报警器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

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