LN2312LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

LN2312LT1G 型号参数

LN2312LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如实验室离心机、复印机、视频线材、电子门锁、调音台，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如手机、人脸识别设备、 GPS定位器、显示器、 MP3播放器、现场可编程门阵列（FPGA）、电子湿度计、电子除湿机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70

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