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L2N7002DW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs

L2N7002DW1T1G 型号参数

L2N7002DW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车电子控制系统、智能照明系统、 MP3播放器、电源供应器、话筒（麦克风），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子榨汁机、吸尘器、心电图仪、 MP4播放器、 USB闪存盘、智能音箱、计算机、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23

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