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KNB2710A_KIA_可易亚_TO263-3_MOSFETs

KNB2710A 型号参数

KNB2710A是品牌KIA可易亚，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手机、空调、智能安防摄像头、音频线材、投影仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
KIA50N06BD	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V
KIA6035AD	11A, 350V N-沟道 MOSFET TO252-3
KNH9130A	N沟道漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：150W
KND3308A	80V 80A 120W 9mΩ@10V,30A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA3400	4.8A，30V N-沟道 MOSFET
KND3306B	60V 80A 84.5W 8.5mΩ@10V,40A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA840SD	8A，500V KIA N-沟道 MOSFET TO252-3
KIA3510AD	75A，100V N-沟道 MOSFET
KIA50N03BD	50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3
KIA3401	-4.0A，-30V P-沟道 MOSFET SOT23

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