KIA50N06BD_KIA_可易亚_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

KIA50N06BD_KIA_可易亚_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

KIA50N06BD 型号参数

KIA50N06BD是品牌KIA可易亚，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显示器、内存条、平板电脑、电子体温计探头、吸尘器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：KIA50N06BD
品牌：可易亚(KIA)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电动车、数码相机、电子搅拌器、电子净水器、数字信号处理器（DSP）、台式电脑主机、门禁系统、电子手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
KND3306B	60V 80A 84.5W 8.5mΩ@10V,40A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA3401	-4.0A，-30V P-沟道 MOSFET SOT23
KIA50N06BD	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V
KND3308A	80V 80A 120W 9mΩ@10V,30A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KNH9130A	N沟道漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：150W
KND3508A	80V 70A 12mΩ@10V,35A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA3400	4.8A，30V N-沟道 MOSFET
KIA50N03BD	50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3
KIA840SD	8A，500V KIA N-沟道 MOSFET TO252-3
KNY3403B	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：71W

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