KIA3510AD_KIA_可易亚_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

KIA3510AD 型号参数

KIA3510AD是品牌KIA可易亚，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微处理器、调制解调器、 RFID读写器、安防监控系统、扫地机器人，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动车、显卡、声卡、整流器、 DVD播放器、单片机、路由器、电动自行车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
KIA50N06BD	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V
KIA50N03BD	50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3
KNB2710A	100V 160A 333W 5mΩ@10V,25A 4V@250uA N Channel TO263-3 MOSFETs ROHS
KNY3403B	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：71W
KND3308A	80V 80A 120W 9mΩ@10V,30A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA6035AD	11A, 350V N-沟道 MOSFET TO252-3
KNH9130A	N沟道漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：150W
KIA3400	4.8A，30V N-沟道 MOSFET
KIA840SB	N沟道漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：100W TO263-3
KIA3401	-4.0A，-30V P-沟道 MOSFET SOT23

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