KIA50N03BD_KIA_可易亚_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

KIA50N03BD 型号参数

KIA50N03BD是品牌KIA可易亚，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 GPS定位器、音响设备、指纹识别器、红外感应器、变压器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
KNY3403B	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：71W
KIA50N03BD	50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3
KIA50N06BD	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V
KIA3400	4.8A，30V N-沟道 MOSFET
KNB2710A	100V 160A 333W 5mΩ@10V,25A 4V@250uA N Channel TO263-3 MOSFETs ROHS
KIA840SD	8A，500V KIA N-沟道 MOSFET TO252-3
KND3508A	80V 70A 12mΩ@10V,35A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA3510AD	75A，100V N-沟道 MOSFET
KND3308A	80V 80A 120W 9mΩ@10V,30A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA3401	-4.0A，-30V P-沟道 MOSFET SOT23

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