FDN357N_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDN357N_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDN357N 型号参数

FDN357N是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、电子厨房计时器、汽车电子控制系统、视频线材、安防摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDN357N
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=1.9A RDS(ON)=60mΩ@10V SOT23-3

应用场景

MOSFETs可应用场景，如视频线材、触摸屏、功放器、智能照明系统、显卡、遥控器、模拟信号处理器（ASP）、光纤连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FQB33N10TM	MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=33A RDS(ON)=52mΩ@10V TO263-2L
MGSF1N03LT1G	表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
FQU13N10LTU	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251
FDD16AN08A0	MOSFET N-Channel 75V 50A 16mΩ
FDPF20N50FT	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
NVH4L020N120SC1	TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
NTJD4001NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363
NTD5805NT4G	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=51A RDS(ON)=9.5mΩ@10V TO252
2N7002ET1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA

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