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FQB33N10TM_ON_安森美_TO263-2_MOSFETs

FQB33N10TM 型号参数

FQB33N10TM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如网卡、机械硬盘、无人机、录像机、摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FQB33N10TM
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=33A RDS(ON)=52mΩ@10V TO263-2L

应用场景

MOSFETs可应用场景，如复印机、 MP4播放器、电动自行车充电器、电子门禁卡、功放设备、电子体重秤、笔记本电脑、红外感应器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
NTR4171PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
NTS2101PT1G	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±8V ID=1.4A RDS(ON)=100mΩ@4.5V SOT323
FDV302P	MOS管 P-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=120mA RDS(ON)=10Ω@4.5V SOT23
NVH4L020N120SC1	TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
NTR4003NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT23
NTR5103NT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±30V ID=260mA RDS(ON)=2.5Ω@10V SOT23
FDY3000NZ	VDS=20V ID=600mA PD=625mW 2 N-Channel SOT563 MOSFETs
BS170	MOSFETs TO-92-3 VDSS=60V ID=500mA N-Channel
FDD8424H	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4

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