FDL100N50F_ON_安森美_TO264-3_MOSFETs

FDL100N50F_ON_安森美_TO264-3_MOSFETs

FDL100N50F 型号参数

FDL100N50F是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门禁卡、电动自行车、电子手表、热水器、电子驱蚊器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDL100N50F
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：通孔 N 通道 500 V 100A（Tc） 2500W（Tc） TO-264-3

应用场景

MOSFETs可应用场景，如虚拟现实头盔、声卡、 MRI扫描仪、汽车电子控制系统、 USB闪存盘、电子翻译器、直流电源、专用集成电路（ASIC）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
2N7002ET1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3
MMBF170LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA
FDD16AN08A0	MOSFET N-Channel 75V 50A 16mΩ
NTK3043NT1G	MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA
NDS9948	MOS管 Dual P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=250mΩ@10V SOIC8_150MIL
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDC6305N	MOSFET–规定的双N沟道电源沟道2.5 V
NTR4171PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23
FDV302P	MOS管 P-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=120mA RDS(ON)=10Ω@4.5V SOT23

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