WST6225_WINSOK_微硕_SOT23N_MOSFETs

WST6225 型号参数

WST6225是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 USB闪存盘、智能音箱、电子秤、音频信号处理器、游戏机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如万用表、电子助听器、电动自行车充电器、摄像机、话筒（麦克风）、整流器、电子胎心监测仪、遥控器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSF6012	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=20A,15A RDS(ON)=37mΩ,60mΩ@10V TO252-4
WSD3067DN56	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：24/-19.8A 功率(Pd)：18.9W
WST05P06	P-Channel Vdss=60V SOT-23-6
WSF09N20G	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：96W
WSD4062DN56	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=62A RDS(ON)=10.5mΩ@10V
WSD3069DN56	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：16A
WSC40N06	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：53W
WSD3050DN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.5mΩ@10V
WST2066	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.2A RDS(ON)=18mΩ@4.5V SOT23-6L
WSK180N04	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：192W

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