WSK180N04_WINSOK_微硕_TO263-2_MOSFETs

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WSK180N04 型号参数

WSK180N04是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、显卡、直流电源、音频线材、音频功率放大器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WSK180N04
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：192W

应用场景

MOSFETs可应用场景，如逆变器、实验室离心机、电子体温计探头、人脸识别设备、手机、汽车、电子门禁卡、电子血压手环等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WSF3085	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=5.5mΩ@10V TO252
WST3423	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.9A RDS(ON)=130mΩ@4.5V SOT23N
WST3427	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.5A RDS(ON)=165mΩ@4.5V SOT23N
WST2011	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.2A RDS(ON)=85mΩ@4.5V SOT23-6L
WSTBSS138	N-Ch MOSFET
WSP6946	MOS管 Dual N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=6.5A RDS(ON)=52mΩ@10V SOP8_150MIL
WSR200N08	MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=3.5mΩ@10V TO220FB-3L
WSF10N40	N沟道漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：56W
WSP4606	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A,6A RDS(ON)=28mΩ,38mΩ@10V SOP8_150MIL
WSK200N08A	MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=4mΩ@10V TO263

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