WSD3069DN56_WINSOK_微硕_DFN8_5X6MM_MOSFETs

WSD3069DN56 型号参数

WSD3069DN56是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手机、电子书阅读器、 CT扫描仪、电子按摩器、空调，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子白板、显卡、电子烤箱温度计、计算机、电子空气净化器、智能照明系统、热水器、智能手环等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSD2075DN	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：23W
WSR3090	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=5.5mΩ TO220
WST2333A	P-Ch MOSFET
WSR80N06	MOSFET TO220AB N-Channel ID=80A
WST3403	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.5A RDS(ON)=75mΩ@4.5V SOT23N
WSD30L30DN	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
WST2N7002K	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=3Ω@10V SOT23N
WST2066	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.2A RDS(ON)=18mΩ@4.5V SOT23-6L
WST2316A	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
WSD3067DN56	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：24/-19.8A 功率(Pd)：18.9W

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