WPM1485-6_TR_WILLSEMI_韦尔_DFN6L_2X2MM_MOSFETs

WPM1485-6/TR 型号参数

WPM1485-6/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手环、路由器、电动自行车控制器、微波炉、 CT扫描仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音响设备、无人机、气体报警器、网络适配器、集成电路板、安防摄像头、电子按摩器、功放设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM2020-3/TR	功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
WPM2015-3/TR	功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WPM3401-3/TR	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4.6A
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A
WNM3013-3/TR	MOSFET SOT723 N-Channel ID=250mA
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WNM2016A-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A

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