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WNM2020-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

WNM2020-3/TR 型号参数

WNM2020-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子罗盘、电子除螨仪、 MP4播放器、电子词典、蓝牙耳机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WNM2020-3/TR
品牌：韦尔(WILLSEMI)
分类：MOSFETs
参数：功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子秤、心电图仪、功放器、液晶显示器、交换机、电子血压计、整流器、智能手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM3005-3/TR	MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WNM6001-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323
WPM2341-3/TR	MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W

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