US2M_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管

US2M_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管

US2M 型号参数

US2M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子白板、吸尘器、电子翻译器、调音台、可编程逻辑控制器（PLC），快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：US2M
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：快恢复/高效率二极管
参数：封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A

应用场景

快恢复/高效率二极管可应用场景，如血糖仪、电子气压计、 LED照明灯、数码相机、显示器、电子体温计探头、电动工具、汽车等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FR207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@1kV
MUR460	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.25V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@600V
US2MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
FR307	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV
US2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
ES2DB	封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
FR107	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
DSF1D E1D	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
B240A	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):550mV@3A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:2A
ES3DB	封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@3A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:3A

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