SI7613DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

SI7613DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

SI7613DN-T1-GE3 型号参数

SI7613DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显卡、电视机、电子加湿器、智能门锁、电子门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI7613DN-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 P 通道 20 V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK® 1212-8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子血压计、扬声器、蓝牙耳机、整流器、单片机、电子榨汁机、不间断电源（UPS）、可编程逻辑控制器（PLC）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
SI7145DP-T1-GE3	MOSFETs P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
IRFP32N50KPBF	MOSFETs N-Channel VDS=500V RDS=135mΩ ID=32A P=460W
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI2324DS-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIS402DN-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V
IRFBC30PBF	通孔 N 通道 600 V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8

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