SI7617DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

SI7617DN-T1-GE3 型号参数

SI7617DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如模拟信号处理器（ASP）、微波炉、电子美容仪、微处理器、智能门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如示波器、耳机、汽车、话筒（麦克风）、智能音箱、功放设备、调音台、电子门禁卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4128DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
IRF740PBF	通孔 N 通道 400 V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3
IRF9640PBF	通孔 P 通道 200 V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI2319CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=4.4A RDS(ON)=77mΩ@10V SOT23-3
IRFP460APBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
IRF9610PBF	MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W
IRFBC30PBF	通孔 N 通道 600 V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI2301BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 20 V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

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