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SI7617DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

SI7617DN-T1-GE3 型号参数

SI7617DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LED照明灯、虚拟现实头盔、汽车电子控制系统、扫描仪、电子胎心监测仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI7617DN-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如信号发生器、 DVD播放器、 GPS定位器、蓝牙耳机、功放设备、 CT扫描仪、逻辑分析仪、心电图仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI2325DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SQ2309ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
IRFP450PBF	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=400mΩ@10V TO247AC

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