SI2305DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2305DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2305DS-T1-GE3-VB 型号参数

SI2305DS-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车电子控制系统、 MP3播放器、集成电路板、不间断电源（UPS）、电子体温计探头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2305DS-T1-GE3-VB
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

应用场景

MOSFETs可应用场景，如冰箱、模拟信号处理器（ASP）、电子助听器、电子搅拌器、安防摄像头、电子脱毛器、数字信号处理器（DSP）、游戏机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDS4435BZ-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SO-8
VB1102M	Vds=100V Id=1.6A SOT23
ZXMN6A11DN8TA-VB	MOSFETs 双N沟道耐压:60V 电流:7A SO-8
SI4435DY-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOP-8
SI2301BDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
ST2300S23RG	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
FDS4435A-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SO-8
IRFR024NTRPBF	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252AA
MMBF170LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
SPD30P06PG-VB	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=62mΩ@4.5V TO252

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