SI2301BDS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2301BDS-T1-GE3 型号参数

SI2301BDS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如直流电源、摩托车、虚拟现实头盔、电动车充电器、电子血压手环，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子手表、人脸识别设备、电子气压计、调音台、手机、饮水机、电磁炉、耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF5803TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-6
FDC6506P	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
VBTA161K	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=2Ω@4.5V SC75A
VBL2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=48mΩ@10V TO263
APM2701AC	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
IRLML5103GTRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:5.6A SOT-23
SI2302ADS-T1-GE3-VB	MOSFETs N沟道耐压:20V 电流:6A SOT-23
VB5222	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
AO4421	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBI1322	MOS管 N-channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89

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