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SI4435DY-T1-E3_VBsemi_微碧_SOP-8_MOSFETs

SI4435DY-T1-E3 型号参数

SI4435DY-T1-E3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车、指纹识别器、电动车、电子翻译器、 3D打印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如单片机、电动自行车控制器、电动工具、智能插座、吸尘器、平板电脑、专用集成电路（ASIC）、智能手环等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AO6604	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
IRF4905PBF-VB	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO-220-3
IRFR3710ZTRPBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:60A TO252
APM2701AC	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
AO3422	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
AO3460	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
NDS8435A-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SOP8
VB2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±8V ID=5.2A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23
TK40P03M1-VB	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:80A TO-252
ME9435	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

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