MUN5111T1G_ON_安森美_SOT-323_带预偏置三极管

MUN5111T1G 型号参数

MUN5111T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如人脸识别设备、调音台、血糖仪、平板电脑、扫描仪，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如电子除湿机、音频信号处理器、电子白板、机器人、微处理器、打印机、电子胎心监测仪、遥控器等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MUN5313DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管
MMUN2214LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
DTC124XET1G	数字晶体管（BRT）R1=22 KΩ，R2=22 KΩ具有单片偏置电阻网络的PNP晶体管
MUN5111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=310mW SOT323
DTC114EET1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=300mW SOT416
MMUN2133LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN2211T1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=230mW SC59
MMUN2112LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=60 P=400mW SOT23
MUN5330DW1T1G	互补偏置电阻晶体管

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