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MUN5313DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管

MUN5313DW1T1G 型号参数

MUN5313DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如交流电源、 3D打印机、电动车充电器、电子驱蚊器、机械硬盘，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如 B超机、音频功率放大器、电子签到系统、电子湿度计、机器人、血糖仪、人脸识别设备、调音台等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MUN5233DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MUN5335DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MUN2211T1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=230mW SC59
MMUN2233LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5330DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2114LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2132LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=15 P=400mW SOT23
MUN2111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=338mW SC59

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