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MUN2211T1G_ON_安森美_SC59_带预偏置三极管

MUN2211T1G 型号参数

MUN2211T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子计算器、电子书阅读器、微处理器、示波器、现场可编程门阵列（FPGA），带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如扫描仪、数字信号处理器（DSP）、智能家居控制器、移动硬盘、网卡、电子美容仪、安防摄像头、电子温度计等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MUN5111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=310mW SOT323
MUN5233DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5313DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5311DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2211LT1G	晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW SOT23
MMUN2214LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2233LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2132LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=15 P=400mW SOT23

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