BC850B_CBI_创基_SOT-23_通用三极管

BC850B_CBI_创基_SOT-23_通用三极管

BC850B 型号参数

BC850B是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如耳机、电子净水器、交换机、游戏机、变压器，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：BC850B
品牌：创基(CBI)
分类：通用三极管
参数：SOT23-3 100mA 300MHz

应用场景

通用三极管可应用场景，如电磁炉、电子血压计袖带、网卡、电动车充电器、游戏机、音频功率放大器、智能家居控制系统、 OLED显示屏等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
S8550 SOT23	通用三极管 PNP 电流:500mA 耐压:25V SOT-23
2N3906U	塑料封装晶体管
MMBTSA1576W	Plastic-Encapsulate Transistors,PNP
MMDT3946DW	晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
2SC4617R	VCEO=50V V(BR)CEO=50V fT =180MHz
S9018	晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：15V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：105@1mA,5V 特征频率(fT)：600MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBT3906T	三极管
BC847BW	SOT323 100mA 100MHz 200mW
2N5551U	三极管 NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=250 P=500mW SOT89
MMDT9014DW	塑料封装晶体管，双NPN

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