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FQD13N10TM_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

FQD13N10TM 型号参数

FQD13N10TM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手表、电子词典、电子温度计、心电图仪、电子门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FQD13N10TM
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252

应用场景

MOSFETs可应用场景，如人脸识别设备、音频线材、移动硬盘、电子琴、计算机、交流电源、饮水机、烤箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
BSS123	SOT23-3 360mW
FDN327N	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=8A RDS(ON)=70mΩ@4.5V SOT23-3
FDMS6681Z	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
FDC6420C	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDN352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=1.3A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23-3
FDS4435BZ	MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A
FQB30N06LTM	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=35Ω@10V TO263
FQA9N90C-F109	MOSFET N-Channel 900V 9A 1.4Ω
FDMA3023PZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=2.9A RDS(ON)=90mΩ@4.5V MicroFET6

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