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FDN359BN_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDN359BN 型号参数

FDN359BN是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调制解调器、 DVD播放器、显卡、智能手机、门禁系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDN359BN
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=46mΩ@10V SOT23-3

应用场景

MOSFETs可应用场景，如现场可编程门阵列（FPGA）、 GPS定位器、智能手表、电动车、路由器、电子罗盘、音响系统、 X光机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDPF18N50	通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
FDA24N50	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=24A RDS(ON)=190mΩ@10V TO3PN
FDMS86101DC	表面贴装型 N 通道 100 V 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
FQPF8N80C	通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F-3
NTJD4001NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363
2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3
MGSF1N03LT1G	表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
NDS9948	MOS管 Dual P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=250mΩ@10V SOIC8_150MIL
FDMS86101	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
BS170	MOSFETs TO-92-3 VDSS=60V ID=500mA N-Channel

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