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FQD13N10LTM_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

FQD13N10LTM 型号参数

FQD13N10LTM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门禁卡、智能插座、心电图仪、稳压电源、 LCD显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FQD13N10LTM
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：表面贴装型 N 通道 100 V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） TO-252AA

应用场景

MOSFETs可应用场景，如扫地机器人、摄像机、电饭煲、饮水机、示波器、电源供应器、电子脱毛器、显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDV301N	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=220mA RDS(ON)=4Ω@4.5V SOT23
FDG6303N	数字FET，双N沟道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363
FDPF20N50FT	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
FQD2N100TM	表面贴装型 N 通道 1000 V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252AA
FDS6690A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=12.5mΩ@10V SOIC8_150MIL
FQA24N60	通孔 N 通道 600 V 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
NDS351AN	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:1.4A SOT23-3
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
NTR4101PT1G	表面贴装型 P 通道 20 V 1.8A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
FDA24N50	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=24A RDS(ON)=190mΩ@10V TO3PN

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