FDB088N08_ON_安森美_D²PAK_MOSFETs

FDB088N08_ON_安森美_D²PAK_MOSFETs

FDB088N08 型号参数

FDB088N08是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动工具、智能手机、交换机、智能安防摄像头、智能手表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDB088N08
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK

应用场景

MOSFETs可应用场景，如变压器、专用集成电路（ASIC）、 CT扫描仪、电动车、游戏机、安防摄像头、机械硬盘、电子驱蚊器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA
FDMS86163P	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=7.9A RDS(ON)=22mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FDT458P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
FDS6898A	MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 9.4A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
FDC5614P	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@10V TSOT23-6
NDS352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=900mA RDS(ON)=500mΩ@4.5V SOT23-3
FDS3512	表面贴装型 N 通道 80 V 4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
MGSF1N03LT1G	表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

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