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NTMFS4C302NT1G_ON_安森美_DFN5_4.9X5.9MM_MOSFETs

NTMFS4C302NT1G 型号参数

NTMFS4C302NT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、电动车充电器、逻辑分析仪、汽车电子控制系统、电动自行车控制器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、光纤连接器、门禁系统、复印机、路由器、触摸屏、电动车、 MP4播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FQA140N10	通孔 N 通道 100 V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
FDPF18N50	通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
FDS6675BZ	表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
FDN359BN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=46mΩ@10V SOT23-3
FCH072N60F	通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3
FDV303N	表面贴装型 N 通道 25 V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
NTJD5121NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=295mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SOT363
FQA24N60	通孔 N 通道 600 V 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
NTR4171PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

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