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FDN335N_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDN335N 型号参数

FDN335N是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如模拟信号处理器（ASP）、电子血压计、耳机、安防摄像头、电动自行车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：FDN335N
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET SOT23-3

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子咖啡机、电子词典、复印机、电子脱毛器、调制解调器、液晶显示器、电源供应器、电子除湿机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
NTD3055L104T4G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±15V ID=12A RDS(ON)=104mΩ@5V TO252
FDB075N15A	表面贴装型 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） D²PAK（TO-263）
FQA11N90C-F109	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=11A RDS(ON)=1.1Ω@10V TO3PN
FQPF6N90C	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=6A RDS(ON)=2.3Ω@10V TO220F
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDD16AN08A0	MOSFET N-Channel 75V 50A 16mΩ
FDN359BN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=46mΩ@10V SOT23-3
FQD13N10TM	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
2V7002KT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380mA RDS(ON)=2.5Ω@4.5V SOT23-3
NDC7002N	MOS管 Dual N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=510mA RDS(ON)=2Ω@10V TSOT23-6

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