FDN335N_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDN335N 型号参数

FDN335N是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如网卡、汽车、智能安防摄像头、 RFID读写器、气体报警器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子罗盘、智能照明系统、功放器、电子秤、稳压电源、电子体重秤、电子美容仪、 RFID读写器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FQL40N50	通孔 N 通道 500 V 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264-3
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FDP075N15A-F102	通孔 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
NTR1P02T1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=1A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23
NDS351AN	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:1.4A SOT23-3
NTF3055-100T1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=3A SOT223
NTS4001NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70
FDN335N	N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET SOT23-3
FDMA530PZ	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.8A RDS(ON)=35mΩ@10V WDFN6_2X2MM_EP
FQD2N60CTM	表面贴装型 N 通道 600 V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252AA

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