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FDN337N_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDN337N 型号参数

FDN337N是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频功率放大器、专用集成电路（ASIC）、手机充电器、 GPS定位器、液晶显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如内存条、网络适配器、门禁系统、复印机、视频线材、台式电脑主机、电子游戏机手柄、 RFID读写器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDA18N50	通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
NTJD5121NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=295mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SOT363
FDMS6681Z	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
FDA70N20	通孔 N 通道 200 V 70A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
FDMS86101	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
FDN342P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23-3
NTR5103NT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±30V ID=260mA RDS(ON)=2.5Ω@10V SOT23
BSS84LT1G	SOT23 225mW
FQA9N90C	通孔 N 通道 900 V 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
FDMS86163P	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=7.9A RDS(ON)=22mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP

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