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AP30P30Q_ALLPOWER_铨力_DFN8_3X3MM_MOSFETs

AP30P30Q 型号参数

AP30P30Q是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如虚拟现实头盔、红外感应器、汽车电子控制系统、数码相机、电子秤，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子空气净化器、电子助听器、集成电路板、电路板、单片机、摄像头、音频功率放大器、虚拟现实头盔等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP15P03Q	P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-12A 功率(Pd)：900mW
AP2316	N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A
AP4008QD	2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
AP3404	N沟道功率 MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=5.8A
AP30P30Q	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：1.5W
APG095N01K	MOSFETs TO-252 N-Channel Single
AP8810	双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W
AP2310	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=3A
AP1606	MOSFETs DFN-1006 Single N-Channel
AP90P03Q	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：48W

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