AP30H50Q_ALLPOWER_铨力_PDFN8L_3X3MM_MOSFETs

AP30H50Q 型号参数

AP30H50Q是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 CT扫描仪、电子白板、游戏机、电子游戏机手柄、视频线材，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如移动硬盘、电子咖啡机、 LCD显示屏、烟雾报警器、逻辑分析仪、显卡、心电图仪、视频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP4616	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
AP2012S	N沟道漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
AP2316	N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A
AP6007S	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W
AP2N7002	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A
AP15P03Q	P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-12A 功率(Pd)：900mW
AP3010	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2.5W
AP90N03Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：46W
AP2055K	20V 60A 4.8mΩ N-Channel MOSFETs TO-252
AP4953A	2个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：2W

型号相关

热门型号