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AP30H50Q_ALLPOWER_铨力_PDFN8L_3X3MM_MOSFETs

AP30H50Q 型号参数

AP30H50Q是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如触摸屏、电子净水器、扫地机器人、摄像机、微处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如门禁系统、扬声器、录像机、实验室离心机、电子加湿器、投影仪、吉他效果器、音频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP2012S	N沟道漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
AP4580	2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd)：1.4W
AP30P30Q	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：1.5W
AP90N03Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：46W
AP2080KA	MOSFETs TO-252 Single N-Channel
AP4953A	2个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：2W
AP3401	P沟道功率MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A
AP3400	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
AP4085G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：27.8W
AP8810	双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W

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