AP2012_ALLPOWER_铨力_TSSOP-8_MOSFETs

AP2012 型号参数

AP2012是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、智能音箱、光纤连接器、饮水机、电子脱毛器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如直流电源、虚拟现实头盔、遥控器、电子助听器、单片机、话筒（麦克风）、数码相机、电动车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP2012S	N沟道漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
AP20P30Q	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W
AP30H100KA	MOSFETs TO-252 N-Channel Single
AP3400	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
AP50N06K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
AP4616	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
AP4438	N沟道功率MOSFET SOT89 VDS=30V VGS=±12V ID=11.8A
AP4435C	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W
AP90N03Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：46W
AP4407C	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.7W

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