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AP2012_ALLPOWER_铨力_TSSOP-8_MOSFETs

AP2012 型号参数

AP2012是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响系统、话筒（麦克风）、微波炉、平板电脑、示波器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如模拟信号处理器（ASP）、人脸识别设备、电子门锁、微波炉、笔记本电脑、门禁系统、智能手表、声卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP2N7002	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A
AP3010	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2.5W
AP3910GD	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：35W
AP2302	SOT23 350mW
AP30H50Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：30W
AP4616	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
AP4407C	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.7W
AP3908GD	一个N沟道一个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：32W
AP4580	2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd)：1.4W
AP3908QD	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W

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