WSR80N10_WINSOK_微硕_TO220AB_MOSFETs

WSR80N10_WINSOK_微硕_TO220AB_MOSFETs

WSR80N10 型号参数

WSR80N10是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如无线网卡、安防摄像头、智能手表、安防监控系统、调制解调器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WSR80N10
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：MOSFET TO220AB N-Channel ID=85A

应用场景

MOSFETs可应用场景，如液晶显示器、实验室离心机、音响系统、游戏机、气体报警器、电子气压计、路由器、音频信号处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WSD2054DN22	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=5A RDS(ON)=65mΩ@4.5V
WSP14N10	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=20mΩ@10V SOP8_150MIL
WST2N7002	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1800mA RDS(ON)=6.6Ω@10V SOT23N
WST3414	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
WSF60100	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=7mΩ@10V TO252
WSP4882	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=26mΩ@10V SOP8_150MIL
WSD14N10DN	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V
WSK180N04	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：192W
WSF50P10	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：96W,
WSR80P06	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=18mΩ@10V TO220AB-3

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