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WSD30L30DN_WINSOK_微硕_DFN8_3X3MM_MOSFETs

WSD30L30DN 型号参数

WSD30L30DN是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 USB闪存盘、调音台、万用表、摄像头、扬声器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WSD30L30DN
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如投影仪、电子净水器、摄像机、整流器、电子琴、电动车、电子气压计、网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WSG02N20	MOSFET SOT223 N-Channel ID=2A
WSP4606	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A,6A RDS(ON)=28mΩ,38mΩ@10V SOP8_150MIL
WSF25N20	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=75mΩ@10V TO252
WST8205A	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：32mA 功率(Pd)：2.1W
WSF3085A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=4.5mΩ@10V TO252
WSD30100DN56	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=4mΩ@10V
WSD2075DN	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：23W
WSD3028DN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=25mΩ@10V
WSD2018BDN22	N沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：12.3A 功率(Pd)：2.8W
WST02N20B	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±25V ID=1.2A RDS(ON)=680mΩ@10V SOT23-3

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