WSD20L75DN_WINSOK_微硕_DFN8_3X3MM_MOSFETs

WSD20L75DN 型号参数

WSD20L75DN是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、扫描仪、不间断电源（UPS）、实验室离心机、摩托车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫描仪、电子脱毛器、汽车、虚拟现实头盔、示波器、电子胎心监测仪、烤箱、电动车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSR10N65F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：39W
WSD50P10ADN56	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：104W
WSF20N06	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=45mΩ@10V TO252
WSF4022	2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：39.4W
WSD3066DN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=66A RDS(ON)=5.7mΩ@10V
WSF3036A	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：18W
WSD4062DN56	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=62A RDS(ON)=10.5mΩ@10V
WSF3055	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：18.9W
WSK96N08	MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=9mΩ@10V TO263
WSP4807	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=8.9A RDS(ON)=21mΩ@10V SOP8_150MIL

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