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WSD30L20DN_WINSOK_微硕_DFN8_3X3MM_MOSFETs

WSD30L20DN 型号参数

WSD30L20DN是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手环、电子游戏机手柄、显示器、摄像机、内存条，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WSD30L20DN
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-20A 功率(Pd)：16.6W

应用场景

MOSFETs可应用场景，如摄像头、不间断电源（UPS）、电子翻译器、电路板、稳压电源、电子秤、声卡、蓝牙音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WST2N7002	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1800mA RDS(ON)=6.6Ω@10V SOT23N
WSP4886	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8.5A RDS(ON)=24mΩ@10V SOP8_150MIL
WSP06N10	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=4.5A RDS(ON)=105mΩ@10V SOP8_150MIL
WSF15N10	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=100mΩ@10V
WSD3069DN56	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：16A
WSF20N06	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=45mΩ@10V TO252
WSD50P10ADN56	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：104W
WSK180N04	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：192W
WSF50P04	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：80W
WST3407	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.8A RDS(ON)=52mΩ@10V SOT23-3

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