WST02N20B_WINSOK_微硕_SOT-23_MOSFETs

WST02N20B 型号参数

WST02N20B是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、直流电源、电子书阅读器、 B超机、电动自行车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子血压手环、电子空气净化器、智能照明系统、电子脱毛器、心电图仪、烤箱、电子体重秤、智能音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSK200N08A	MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=4mΩ@10V TO263
WSF4012	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：30/-20A
WSP4620	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8.8A,8.6A RDS(ON)=24mΩ,32mΩ@10V SOP8_150MIL
WSD30160DN56	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V
WSP4407A	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：3.1W
WSE3088	MOSFETSOT89 N-Channel ID=7A
WSD3023DN56	N-P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：14/-14A 功率(Pd)：5.25W
WST8205	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.8A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23-6L
WST3403	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.5A RDS(ON)=75mΩ@4.5V SOT23N
WST6401	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：0.7W

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