WSD20L70DN_WINSOK_微硕_DFN8_3X3MM_MOSFETs

WSD20L70DN_WINSOK_微硕_DFN8_3X3MM_MOSFETs

WSD20L70DN 型号参数

WSD20L70DN是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频线材、示波器、血糖仪、集成电路板、电子广告牌，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：WSD20L70DN
品牌：微硕(WINSOK)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=70A RDS(ON)=7.9mΩ@4.5V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子游戏机手柄、电子广告牌、万用表、无人机、电子书阅读器、投影仪、机器人、专用集成电路（ASIC）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
WSD20L120DN56	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=120A RDS(ON)=2.7mΩ@4.5V
WSF50P04	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：80W
WSP4067	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=7.5A,5.5A RDS(ON)=21mΩ,38mΩ@10V SOP8_150MIL
WSD4098DN56	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=22A RDS(ON)=7.8mΩ@10V
WSP4953	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=90mΩ@10V SOP8_150MIL
WSD1614DN	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：550mW DFN1X0.6-3L
WSF35P06	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：13.5A 功率(Pd)：31.3W
WSK200N08A	MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=4mΩ@10V TO263
WSD30L20DN	P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-20A 功率(Pd)：16.6W
WSD1216DN22	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=9.4A RDS(ON)=15mΩ@4.5V DFN6_2X2MM_EP

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