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WSD20L50DN_WINSOK_微硕_DFN8_3X3MM_MOSFETs

WSD20L50DN 型号参数

WSD20L50DN是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子体温计探头、音响系统、平板电脑、人脸识别设备、液晶显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如内存条、电子血压手环、智能门锁、虚拟现实头盔、固态硬盘、心电图仪、机器人、电子按摩器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WSD100N06GDN56	MOSFETs DFN8_5X6MM_EP ID=100A VDS=60V
WSD30L30DN	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
WST2305	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.4A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOT23N
WSD3095DN56	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：59W
WST2303	MOSFETs P-Channel VDS=-20V VGS=±8V SOT23-3L
WSP8212	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=11A RDS(ON)=13mΩ@10V SOP8_150MIL
WSD50P10ADN56	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：104W
WSK140N08	N沟道漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：250W
WSF20N20G	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：104W
WST3423	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.9A RDS(ON)=130mΩ@4.5V SOT23N

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