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US2DB_晶导微电子__SMB_快恢复/高效率二极管

US2DB 型号参数

US2DB是品牌晶导微电子，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子除湿机、电子白板、逻辑分析仪、交流电源、智能门锁，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如 OLED显示屏、电饭煲、电子门禁卡、电子空气净化器、打印机、电子琴、手机充电器、液晶显示器等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
US2DB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
RS3MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
ES1JW	封装:SOD-123F 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A
ES1JLWS	封装:SOD-323 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@500mA 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:500mA
ES2D	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
ES1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.25V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
US1MW	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
US1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
US1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
ES2DB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A

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