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ES2DB_晶导微电子__SMB_快恢复/高效率二极管

ES2DB 型号参数

ES2DB是品牌晶导微电子，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动自行车控制器、饮水机、电子罗盘、电子血压计袖带、电子门禁卡，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电子血压手环、电子美容仪、电源供应器、微波炉、手机、信号发生器、视频线材、网卡等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
ES1D	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
RS3MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
US2DB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
ES2DB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
FR107W	封装:SOD-123F 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
US1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
ES2D	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
ES1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.25V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
US1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
RS1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A

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