SIA923EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK6_2.05X2.05MM_MOSFETs

SIA923EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA923EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、视频线材、空调、冰箱、电子阅读器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子气压计、 RFID读写器、智能安防摄像头、烤箱、电子咖啡机、 LCD显示屏、安防监控系统、扫地机器人等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI4848DY-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=150V ID=2.7A SOIC8_150MIL
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI7489DP-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=41mΩ@10V
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
IRFP32N50KPBF	MOSFETs N-Channel VDS=500V RDS=135mΩ ID=32A P=460W
IRFU110PBF	通孔 N 通道 100 V 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI1308EDL-T1-GE3	MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL

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