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SIA923EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK6_2.05X2.05MM_MOSFETs

SIA923EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA923EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如机器人、烤箱、遥控器、 USB闪存盘、电子除螨仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 RFID读写器、智能家居控制器、智能插座、电动工具、电子翻译器、 LED显示器、电子美容仪、电动自行车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFB20N50KPBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2343DS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4A
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
IRF610PBF	通孔 N 通道 200 V 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220
SI4202DY-T1-GE3	MOSFETDual N-Channel VDS=30V ID=12.1A PD=3.7W SOIC8_150MIL
IRF840PBF	通孔 N 通道 500 V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
IRF9540SPBF	MOSFET TO263 P-Channel ID=19A

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