SI7848DP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_QFN-8(5x6)_MOSFETs

SI7848DP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_QFN-8(5x6)_MOSFETs

SI7848DP-T1-GE3-VB 型号参数

SI7848DP-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子体温计探头、电动自行车充电器、平板电脑、心电图仪、吸尘器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI7848DP-T1-GE3-VB
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：

应用场景

MOSFETs可应用场景，如话筒（麦克风）、笔记本电脑、复印机、电源供应器、扫描仪、电子罗盘、电子签到系统、电视机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K7002F	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
VBTA4250N	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=300mA RDS(ON)=650mΩ@4.5V SC75-6
SI2305DS-T1-GE3-VB	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
AO3414	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
AO4800	MOS管双N-通道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SI2308DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
VBM2625	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO220AB
RU30L30M	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP
VBM2625	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO220AB
Si2338DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23

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