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SI7483ADP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs

SI7483ADP-T1-GE3-VB 型号参数

SI7483ADP-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电视机、智能插座、网络适配器、 USB闪存盘、电子书阅读器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI7483ADP-T1-GE3-VB
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:120A DFN8_5X6MM_EP

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子咖啡机、变压器、数字信号处理器（DSP）、人脸识别设备、电子游戏机手柄、计算机、蓝牙耳机、电子空气净化器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
IRFR024NTRPBF	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252AA
BUK7635-55A-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:40A TO-263
SI2301BDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
NDS8435A-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SOP8
AO7400-VB	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
ME9435	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
TN2404K-T1-E3-VB	MOSFETs N沟道耐压:200V 电流:1A SOT-23
MDS1521URH	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=5mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
WPM2015-3/TR	MOSFETs P沟道耐压:20V 电流:5A SOT-23
ST2300S23RG	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

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