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P9006EDG_VBsemi_微碧_TO252AA_MOSFETs

P9006EDG 型号参数

P9006EDG是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如触摸屏、模拟信号处理器（ASP）、 LED照明灯、摄像头、电子签到系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：P9006EDG
品牌：微碧(VBsemi)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=72mΩ@4.5V TO252AA

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子温度计、摄像机、心电图仪、电饭煲、整流器、扬声器、逆变器、实验室离心机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
IRLML6246TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
NTR4502PT1G-VB	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23
AOB428-VB	MOSFETs TO-263 N沟道 100V 70A
ZXMN6A11DN8TA-VB	MOSFETs 双N沟道耐压:60V 电流:7A SO-8
LR024N	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
AO4470-VB	MOSFETs N-沟道 SO-8
APM2701ACC-TRG	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A RDS(ON)=30mΩ,79mΩ@4.5V SOT23-6
IRF640NPBF	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=20A RDS(ON)=152mΩ@4.5V TO220AB
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
IRLR024NTRPBF	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252

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