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SI2309CDS-T1-MS_MSKSEMI_美森科_SOT-23_MOSFETs

SI2309CDS-T1-MS 型号参数

SI2309CDS-T1-MS是品牌MSKSEMI美森科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子计算器、电子体温计探头、虚拟现实头盔、现场可编程门阵列（FPGA）、逻辑分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SI2309CDS-T1-MS
品牌：美森科(MSKSEMI)
分类：MOSFETs
参数：类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V;

MOSFETs可应用场景，如不间断电源（UPS）、蓝牙耳机、电磁炉、耳机、变压器、 MP4播放器、数字信号处理器（DSP）、血糖仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AO3402	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:4A SOT-23-3L
2N7002W
AO3400MI-MS	N沟道 SOT23 VDS:30V Id:5.8A PD=350mW
FDC5614P	P沟道漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流(Id) ：3A SOT23-6
2SK3019-MS	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW SOT523
SI2309CDS-T1-MS	类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V;
WPM3407-MS	SOT23-3 VDS:30V Id:4.1A
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
WPM2341-MS	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
SI2301AI-MS	P沟道 VDS=20V ID=3A PD=1W SOT23

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