FDV303N_MSKSEMI_美森科_SOT-23_MOSFETs

FDV303N 型号参数

FDV303N是品牌MSKSEMI美森科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子翻译器、 DVD播放器、冰箱、固态硬盘、智能手机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子温度计、智能安防摄像头、万用表、音响系统、示波器、电子书阅读器、话筒（麦克风）、智能手机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AO3400MI-MS	N沟道 SOT23 VDS:30V Id:5.8A PD=350mW
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
WPM2341-MS	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
AO3401CI-MS	MOSFETs P-Channel SOT23-3 Vds=20V Vgs=±8V Id=3A Pd=350mW
FDC5614P	P沟道漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流(Id) ：3A SOT23-6
2SK3019-MS	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW SOT523
AO3402	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:4A SOT-23-3L
FDV303N
SI2309CDS-T1-MS	类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V;
AO4882-MS	2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W

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