NVD5117PLT4G-VF01_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NVD5117PLT4G-VF01_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NVD5117PLT4G-VF01 型号参数

NVD5117PLT4G-VF01是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如变压器、电子体重秤、电子加湿器、汽车电子控制系统、电子秤，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：NVD5117PLT4G-VF01
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=61A RDS(ON)=16mΩ@10V TO252

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子按摩器、显示器、电子词典、录像机、电子阅读器、虚拟现实头盔、单片机、 LCD显示屏等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
FDS6898A	MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 9.4A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
NTMFS5C628NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=3.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
NDS352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=900mA RDS(ON)=500mΩ@4.5V SOT23-3
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FDS8984	MOSFET 2N-Channel VDS=30V ID=7A RDS(on)=23mΩ SOIC8_150MIL
FDMC6686P	表面贴装型 P 通道 20 V 18A（Ta），56A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
FQT7N10LTF	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=1.7A RDS(ON)=350mΩ@10V SOT223
FDN304P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3
FDMA3023PZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=2.9A RDS(ON)=90mΩ@4.5V MicroFET6
FQA90N15	通孔 N 通道 150 V 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN

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